| 회사소개 |
반도체·광학·LCD |
| 업무내용/자격요건 |
[담당업무]
∙ SiC MOSFET 소자개발
- 신규 Fab 공정을 개발 및 Process intergration 업무를 수행합니다.
- Static & Dynamic Test 및 소자의 전기적 특성을 측정/분석합니다.
- 개발 Mask를 제작하고, TEG layout 업무를 수행합니다.
- 양산개발(PI) 이슈에 대해 대응 업무를 수행합니다.
[자격요건]
∙ 전자/화학/물리/재료등 반도체 관련 전공 학사 이상
∙ Power Device/제품개발 경력 3년 이상
[우대요건]
∙ Fab Process Engineering 경험자
∙ Device Physics 교육 이수자
[직책/직급]
대리/과장
[근무지]
충북 음성
[전형절차]
서류전형 - 인적성 - 1차 면접(실무진면접) - 2차 면접(임원면접) - 채용 검진 - 입사
[제출서류]
브레인센터 이력서 양식(사진포함)
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| 기타사항 |
학력:대졸이상, 외국어:무관
직급/직책:대리/과장급, 경력 3년이상
근무지:충북 음성
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| 담당자 |
담당컨설턴트: 박원모 컨설턴트
연락처: 02-536-1910
이메일: wmpark@braincenter.co.kr |