| 업무내용/자격요건 |
[담당업무]
ㆍ GaN물질 기반 power device 향 Epi 공정 개발 및 평가
- 대면적(8") GaN on Si Epi 공정(구조, Recipe) 개발
- 대면적(8") GaN on Si Epi 분석 및 WBG Epi 특성/신뢰성 평가
- MOCVD 설비 관리/운영 및
ㄴ 개발 업무 및 Project 및 GaN Epi 양산 PI 업무 대응
[자격요건]
ㆍ GaN on Si Epi(≥8") 개발/평가 경험
ㆍ MOCVD 관리/운영 경험(≥3년)
[우대요건]
ㆍ GaN epi 구조 및 device operation 이해 ★★★
ㆍ GaN process 와 device performance 연관성 평가 경험 ★★☆
ㆍ Aixtron GaN MOCVD 운영경험 ★★★
ㆍ Power 제품개발 경력 3년 이상(석사), 5년 이상(학사) ★☆☆
[직책/직급]
대리/과장
[근무지]
충북 음성
[전형절차]
서류전형 - 인적성 - 1차 면접(실무진면접) - 2차 면접(임원면접) - 채용 검진 - 입사
[제출서류]
브레인센터 이력서 양식(사진포함)
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